2N7002,215 vs 2N7002E-T1-E3

Это подробное сравнение 2N7002,215 и 2N7002E-T1-E3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Replacement verdict

Compatible functional replacement candidate

The 2N7002E-T1-E3 is a compatible functional replacement candidate for the 2N7002,215 in most low-power switching applications, with both devices sharing identical N-channel MOSFET functionality, SOT-23 footprint, and comparable voltage ratings. Designers should validate gate threshold voltage tolerances and thermal performance under application-specific load conditions before finalizing the substitution.

Drain-Source Voltage Rating High match

Continuous Drain Current High match

Package Type High match

Gate Threshold Voltage Validation required

Review the critical differences →

Parts at a glance

Part A

2N7002,215

Компания Nexperia USA Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 6582 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

2N7002E-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 7566 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	2N7002,215	2N7002E-T1-E3
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	300mA (Ta)	240mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	5Ohm @ 500mA, 10V	3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±30V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	50 pF @ 10 V	21 pF @ 5 V
Power Dissipation (Max)	830mW (Ta)	350mW (Ta)
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	TrenchMOS™	-

Compare RFQ