2N7002A-7
Включенные диоды
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 1569 ПКС
- Package
- SOT-23-3
- Series
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
Это подробное сравнение 2N7002A-7 и 2N7002 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
Replacement verdict
The 2N7002A-7 is a functionally compatible replacement candidate for the 2N7002 in most low-power switching applications, with identical package footprint, channel configuration, and voltage ratings. Designers should validate gate threshold spread and thermal behavior under their specific drive conditions before committing to volume production.
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | 2N7002A-7 | 2N7002 |
|---|---|---|
| Part Status | Active | Obsolete |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | 60 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 180mA (Ta) | 200mA (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 6Ohm @ 115mA, 5V | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| Vgs(Max) | ±20V | ±18V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 23 pF @ 25 V | 43 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 370mW (Ta) | 350mW (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | - | STripFET™ |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | - | 2 nC @ 5 V |