2N7002A-7 vs 2N7002

Это подробное сравнение 2N7002A-7 и 2N7002 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Replacement verdict

Compatible functional replacement candidate

The 2N7002A-7 is a functionally compatible replacement candidate for the 2N7002 in most low-power switching applications, with identical package footprint, channel configuration, and voltage ratings. Designers should validate gate threshold spread and thermal behavior under their specific drive conditions before committing to volume production.

Drain-Source Voltage Rating High match
Continuous Drain Current High match
Package Type High match
Gate Threshold Voltage Validation required

Parts at a glance

Part A

2N7002A-7

Включенные диоды

Lifecycle
Active
Stock
1569 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
Part B

2N7002

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
1470 ПКС
Package
SOT-23
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002A-7 2N7002
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 180mA (Ta) 200mA (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 6Ohm @ 115mA, 5V 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Vgs(Max) ±20V ±18V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 23 pF @ 25 V 43 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 370mW (Ta) 350mW (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series - STripFET™
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 2 nC @ 5 V