2N7002E vs 2N7001TQDCKRQ1

Это подробное сравнение 2N7002E и 2N7001TQDCKRQ1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Replacement verdict

Not a drop-in replacement

The 2N7002E and 2N7001TQDCKRQ1 are not functionally interchangeable. The 2N7002E is a single N-channel small-signal MOSFET in a SOT-23 package, while the 2N7001TQDCKRQ1 is an automotive-qualified single-channel digital translator in a SC-70 package. They differ in device function, channel configuration, package footprint, and qualification grade, so direct substitution is not possible without circuit redesign.

Different device function Different channel configuration Different footprint Different qualification grade

Parts at a glance

Part A

2N7002E

Электронные компоненты Panasonic

Lifecycle
Active
Stock
3552 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

2N7001TQDCKRQ1

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
8114 ПКС
Package
SC-70-5-5
Series
Логика - Переводчики, Переменчики уровней
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002E 2N7001TQDCKRQ1
Supplier - Texas Instruments
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Obsolete Active
Translator Type - Voltage Level
Channel Type - Unidirectional
Number of Circuits - 1
Channelsper Circuit - 1
Voltage - VCCA - 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB - 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal - CMOS
Output Signal - CMOS
Output Type - Push-Pull
Data Rate - 100Mbps
Operating Temperature 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 300mA (Ta) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 3Ohm @ 100mA, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 40 pF @ 10 V -
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) -
Compare RFQ