2N7002A-7 vs 2N7002K-T1-GE3

Это подробное сравнение 2N7002A-7 и 2N7002K-T1-GE3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002A-7

Включенные диоды

Lifecycle: Active
Stock: 1569 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

2N7002K-T1-GE3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 4371 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	2N7002A-7	2N7002K-T1-GE3
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	180mA (Ta)	300mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	6Ohm @ 115mA, 5V	2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	23 pF @ 25 V	30 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	370mW (Ta)	350mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	-	TrenchFET®
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	0.6 nC @ 4.5 V

Compare RFQ