2N7002KDW vs 2N7002DWA-7

Это подробное сравнение 2N7002KDW и 2N7002DWA-7 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002KDW

ЭВВО

Lifecycle
Active
Stock
9973 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOSFET массивы
+БОМ RFQ
Part B

2N7002DWA-7

Включенные диоды

Lifecycle
Active
Stock
4501 ПКС
Package
SC-88
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002KDW 2N7002DWA-7
Supplier - Diodes Incorporated
Part Status Active Obsolete
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 180mA
Rds On(Max) @ Id Vgs - 6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 0.87nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 22pF @ 25V
Power - Max 150mW (Ta) 300mW
Operating Temperature 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA (Ta) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Compare RFQ