2N7002KT1G vs 2N7002V

Это подробное сравнение 2N7002KT1G и 2N7002V предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002KT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
2832 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

2N7002V

Компания Fairchild Semiconductor

Lifecycle
Active
Stock
4358 ПКС
Package
SOT-666
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002KT1G 2N7002V
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 320mA (Ta) 280mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 24.5 pF @ 20 V 50pF @ 25V
Power - Max - 250mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) -
Compare RFQ