2N7002NXAKR vs 2N7002E-T1-E3

Это подробное сравнение 2N7002NXAKR и 2N7002E-T1-E3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002NXAKR

Компания Nexperia USA Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 2910 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

2N7002E-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 7566 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	2N7002NXAKR	2N7002E-T1-E3
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	190mA (Ta), 300mA (Tc)	240mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	4.5Ohm @ 100mA, 10V	3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.1V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.43 nC @ 4.5 V	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	20 pF @ 10 V	21 pF @ 5 V
Power Dissipation (Max)	265mW (Ta), 1.33W (Tc)	350mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ