2SB1188T100R vs 2SB1124S-TD-E

Это подробное сравнение 2SB1188T100R и 2SB1124S-TD-E предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2SB1188T100R

компанией Rohm Semiconductor

Lifecycle: Active
Stock: 22803 ПКС
Package: TO-243AA
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

2SB1124S-TD-E

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2939 ПКС
Package: TO-243AA
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	2SB1188T100R	2SB1124S-TD-E
Supplier	Rohm Semiconductor	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	2 A	3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	32 V	50 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	800mV @ 200mA, 2A	700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff(Max)	1µA (ICBO)	1µA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	180 @ 500mA, 3V	140 @ 100mA, 2V
Power - Max	2 W	500 mW
Frequency - Transition	100MHz	150MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ