70V659S12DRGI vs 70V657S10DR Сравнение

Это подробное сравнение 70V659S12DRGI и 70V657S10DR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
70V659S12DRGI

+БОМ

1522 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
70V657S10DR

+БОМ

2121 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
Пакет PQFP-208 BFQFP-208
Описание IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
Supplier - Renesas Electronics America Inc
Part Status Active Obsolete
Memory Type Volatile Volatile
Memory Format SRAM SRAM
Technology SRAM - Dual Port, Asynchronous SRAM - Dual Port, Asynchronous
Memory Size 4.5Mb (128K x 36) 1.125Mb (32K x 36)
Memory Interface Parallel Parallel
Write Cycle Time - Word Page 12ns 10ns
Access Time 12 ns 10 ns
Voltage - Supply 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : 70V659S12DRGI 70V657S10DR

+БОМ RFQ