AON6932A vs AON6994

Это подробное сравнение AON6994 и AON6932A предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
AON6994

+БОМ

19924 ПКС | Компания Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON6932A

+БОМ

5855 ПКС | Компания Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Пакет 8-PowerVDFN
Описание MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 8DFN MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
Part Status Obsolete -
Base Product Number AON699 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
FET Feature Logic Level Gate -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A, 26A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 15V -
Power - Max 3.1W -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Supplier - Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ProductStatus - Not For New Designs
FETType - 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature - Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 22A, 36A
RdsOn(Max)@IdVgs - 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 22nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 1037pF @ 15V
Power-Max - 3.6W, 4.3W
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Модель сравнения : AON6994 AON6932A

+БОМ RFQ