APT30DQ120BG vs APT30GP60LDLG

Это подробное сравнение APT30DQ120BG и APT30GP60LDLG предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

APT30DQ120BG

Технология микрочипов

Lifecycle
Active
Stock
2721 ПКС
Package
TO-247-2
Series
Диоды - Исправители - Single
+БОМ RFQ
Part B

APT30GP60LDLG

корпорации Microsemi

Lifecycle
Active
Stock
2964 ПКС
Package
TO-264-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification APT30DQ120BG APT30GP60LDLG
Supplier - Microchip Technology
Part Status Active Active
IGBT Type - PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) - 100 A
Current - Collector Pulsed(Icm) - 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic - 2.7V @ 15V, 30A
Power - Max - 463 W
Switching Energy - 260µJ (on), 250µJ (off)
Input Type - Standard
Gate Charge - 90 nC
Td(on / off) @ 25°C - 13ns/55ns
Test Condition - 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Diode Type Standard -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V -
Current - Average Rectified(Io) 30A -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 3.3 V @ 30 A -
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Reverse Recovery Time (trr) 320 ns -
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 1200 V -
Compare RFQ