APTGT300A60TG
Технология микрочипов
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 2546 ПКС
- Package
- SP-4
- Series
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
Это подробное сравнение APTGT300A60TG и APTGT100DA170TG предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
Технология микрочипов
корпорации Microsemi
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | APTGT300A60TG | APTGT100DA170TG |
|---|---|---|
| Supplier | - | Microchip Technology |
| Part Status | Active | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| Configuration | Half Bridge | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 600 V | 1700 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 430 A | 150 A |
| Power - Max | 935 W | 560 W |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 1.9V @ 15V, 300A | 2.4V @ 15V, 100A |
| Current - Collector Cutoff(Max) | 350 µA | 250 µA |
| Input Capacitance(Cies) @ Vce | 18.4 nF @ 25 V | 9 nF @ 25 V |
| Input | Standard | Standard |
| NTC Thermistor | Yes | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount | Chassis Mount |