AUIRFR4615TRL
компанией Infineon Technologies
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 6137 ПКС
- Package
- PG-TO-252
- Series
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
Это подробное сравнение AUIRFR4615TRL и AUIRF4905 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
компанией Infineon Technologies
Международный исправитель
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | AUIRFR4615TRL | AUIRF4905 |
|---|---|---|
| Series | HEXFET® | HEXFET® |
| Part Status | Not For New Designs | Active |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V | 55 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 33A (Tc) | 74A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 42mOhm @ 21A, 10V | 20mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 100µA | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1750 pF @ 50 V | 3400 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 144W (Tc) | 200W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Through Hole |