AUIRF7341QTR vs AUIRF7342Q

Это подробное сравнение AUIRF7341QTR и AUIRF7342Q предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

AUIRF7341QTR

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
4160 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOSFET массивы
Part B

AUIRF7342Q

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
4443 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification AUIRF7341QTR AUIRF7342Q
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs - 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 38nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 690pF @ 25V
Power - Max 2.4W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number AUIRF7341 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V -
Grade Automotive -
Qualification AEC-Q101 -
Packaging Tape & Reel (TR) -