AUIRS1170STR vs AUIRS20162STR Сравнение

Это подробное сравнение AUIRS1170STR и AUIRS20162STR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
AUIRS1170STR

+БОМ

2241 ПКС | компанией Infineon Technologies
AUIRS20162STR

+БОМ

4689 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRIVER 200V 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration - High-Side
Channel Type - Single
Number of Drivers - 1
Gate Type - N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 11V ~ 18V 4.4V ~ 20V
Current - Peak Output(Source Sink) - 250mA, 250mA
Input Type - Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 150 V
Rise / Fall Time(Typ) - 200ns, 200ns
Operating Temperature -25°C ~ 125°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Applications Secondary-Side Controller -
Voltage - Input 200V -
Supply Current 45 mA -
Модель сравнения : AUIRS1170STR AUIRS20162STR

+БОМ RFQ