BAS16,215
Компания NXP Semiconductors
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 7003 ПКС
- Package
- SOT-23-3
- Series
- Диоды - Исправители - Single
Это подробное сравнение BAS16,215 и BAS16DXV6T5G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | BAS16,215 | BAS16DXV6T5G |
|---|---|---|
| Supplier | - | onsemi |
| Part Status | Active | Obsolete |
| Diode Configuration | - | 2 Independent |
| Diode Type | Standard | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V | 75 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | - | 200mA (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns | 6 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 80 V | 1 µA @ 75 V |
| Operating Temperature - Junction | - | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | - |
| Current - Average Rectified(Io) | 215mA (DC) | - |
| Capacitance @ Vr F | 1.5pF @ 0V, 1MHz | - |