BAS16HT3G
Онсеми
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 6245 ПКС
- Package
- SOD-323
- Series
- Диоды - Исправители - Single
Это подробное сравнение BAS16HT3G и BAS16UE6727HTSA1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | BAS16HT3G | BAS16UE6727HTSA1 |
|---|---|---|
| Supplier | onsemi,Rochester Electronics, LLC | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Series | - | Automotive, AEC-Q101 |
| Part Status | Active | Last Time Buy |
| Diode Configuration | - | 3 Independent |
| Diode Type | Standard | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V | 80 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | - | 100mA (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA | 1.2 V @ 100 mA |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 6 ns | 4 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 75 V | 1 µA @ 75 V |
| Operating Temperature - Junction | - | 150°C (Max) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |
| Current - Average Rectified(Io) | 200mA (DC) | - |
| Capacitance @ Vr F | 2pF @ 0V, 1MHz | - |