BAS16W vs BAS16LT1G

Это подробное сравнение BAS16LT1G и BAS16W предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
BAS16LT1G

+БОМ

4501 ПКС | Онсеми
BAS16W

+БОМ

1829 ПКС | Янчжоу Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Пакет SOT23-3 SOT-323
Описание DIODE GP 100V 200MA SOT23-3 DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD123
ProductStatus Active Active
DiodeType Standard Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 100 V 75 V
Current-AverageRectified(Io) 200mA (DC) 200mA
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
ReverseRecoveryTime(trr) 6 ns 6 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 1 µA @ 100 V 1 µA @ 75 V
Capacitance@VrF 2pF @ 0V, 1MHz 4pF @ 0V, 1MHz
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : BAS16LT1G BAS16W

+БОМ RFQ