BAS21AHT1G vs BAS21UE6359HTMA1 Сравнение

Это подробное сравнение BAS21AHT1G и BAS21UE6359HTMA1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
BAS21AHT1G

+БОМ

13599 ПКС | Онсеми
BAS21UE6359HTMA1

+БОМ

2005 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOD-323 SOT-457
Описание DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 DIODE GP 200V 125MA SC74
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series - Automotive, AEC-Q101
Part Status Active Last Time Buy
Diode Configuration - 3 Independent
Diode Type Standard Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 250 V 200 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) - 125mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 200 mA 1 V @ 100 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns 50 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 nA @ 200 V 100 nA @ 200 V
Operating Temperature - Junction - 150°C (Max)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Average Rectified(Io) 200mA (DC) -
Capacitance @ Vr F 5pF @ 0V, 1MHz -
Модель сравнения : BAS21AHT1G BAS21UE6359HTMA1

+БОМ RFQ