BAS21HT1G vs BAS216,135 Сравнение

Это подробное сравнение BAS21HT1G и BAS216,135 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
BAS21HT1G

+БОМ

2266 ПКС | Компания Fairchild Semiconductor
BAS216,135

+БОМ

3629 ПКС | Компания NXP USA Inc.
Пакет SOD-323 SOD-110
Описание RECTIFIER DIODE, 0.2A, 250V DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2
Supplier - NXP USA Inc.
Part Status Active Obsolete
Diode Type - Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) - 75 V
Current - Average Rectified(Io) - 250mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If - 1.25 V @ 150 mA
Speed - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) - 4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr - 1 µA @ 75 V
Capacitance @ Vr F - 1.5pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type - Surface Mount
Модель сравнения : BAS21HT1G BAS216,135

+БОМ RFQ