BC817-16LT1G vs BC817UPNB6327XT

Это подробное сравнение BC817-16LT1G и BC817UPNB6327XT предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC817-16LT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 6406 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

BC817UPNB6327XT

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 8870 ПКС
Package: SOT-457
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BC817-16LT1G	BC817UPNB6327XT
Supplier	-	Infineon Technologies
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
Transistor Type	NPN	NPN, PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	500 mA	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45 V	45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	700mV @ 50mA, 500mA	700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff(Max)	100nA (ICBO)	100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	100 @ 100mA, 1V	160 @ 100mA, 1V
Power - Max	300 mW	330mW
Frequency - Transition	100MHz	170MHz
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ