BC817K-16R vs BC817-40W

Это подробное сравнение BC817K-16R и BC817-40W предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC817K-16R

Компания Nexperia USA Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 4694 ПКС
Series: Транзисторы - биполярные (BJT) - однополярные транзисторы

+БОМ RFQ

Part B

BC817-40W

компанией Diotec Semiconductor

Lifecycle: Active
Stock: 6482 ПКС
Package: TO-236-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BC817K-16R	BC817-40W
Part Status	Discontinued at DigiKey	Active
Base Product Number	BC817	-
Transistor Type	NPN	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500 mA	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45 V	-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA	-
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	-
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V	-
Power - Max	250 mW	310 mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automotive	-
Qualification	AEC-Q100	-
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-
Current - Collector(Ic)(Max)	-	800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	-	45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	-	700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff(Max)	-	100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	-	250 @ 100mA, 1V

Compare RFQ