BC846BLT1G vs BC846BM3T5G

Это подробное сравнение BC846BLT1G и BC846BM3T5G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC846BLT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2456 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

BC846BM3T5G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 13861 ПКС
Package: SOT-723
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BC846BLT1G	BC846BM3T5G
Supplier	-	onsemi
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	65 V	65 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	200 @ 2mA, 5V	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	300 mW	265 mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ