BC847BLT1G vs BC847ALT1G

Это подробное сравнение BC847BLT1G и BC847ALT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847BLT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 6873 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

BC847ALT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4675 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BC847BLT1G	BC847ALT1G
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45 V	45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	200 @ 2mA, 5V	110 @ 2mA, 5V
Power - Max	300 mW	300 mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ