BC847CDW1T1G vs BC847BDW1T1

Это подробное сравнение BC847CDW1T1G и BC847BDW1T1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847CDW1T1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 11885 ПКС
Package: SC-88
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

BC847BDW1T1

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 6597 ПКС
Package: SC-88
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BC847CDW1T1G	BC847BDW1T1
Supplier	onsemi	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45V	45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	420 @ 2mA, 5V	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	380mW	380mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ