BC856B-QVL vs BC856B-QR

Это подробное сравнение BC856B-QVL и BC856B-QR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC856B-QVL

Компания Nexperia USA Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 7501 ПКС
Series: Транзисторы - биполярные (BJT) - однополярные транзисторы

+БОМ RFQ

Part B

BC856B-QR

Компания Nexperia USA Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 3837 ПКС
Package: TO-236-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BC856B-QVL	BC856B-QR
Part Status	Active	Active
Base Product Number	BC856	-
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65 V	-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA	-
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)	-
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V	-
Power - Max	250 mW	250 mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)
Grade	Automotive	-
Qualification	AEC-Q101	-
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-
Supplier	-	Nexperia USA Inc.
Series	-	Automotive, AEC-Q101
Current - Collector(Ic)(Max)	-	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	-	65 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	-	650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	-	15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	-	220 @ 2mA, 5V

Compare RFQ