BC857BDW1T1G vs BC857S

Это подробное сравнение BC857BDW1T1G и BC857S предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC857BDW1T1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 6653 ПКС
Package: SC-70
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

BC857S

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 7134 ПКС
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BC857BDW1T1G	BC857S
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Series	-	Bulk
Transistor Type	2 PNP (Dual)	Active
Part Status	Active	-
Current - Collector(Ic)(Max)	100mA	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45V	-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	650mV @ 5mA, 100mA	-
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	220 @ 2mA, 5V	-
Power - Max	380mW	-
Frequency - Transition	100MHz	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
Mounting Type	Surface Mount	-

Compare RFQ