BSS138NH6327XTSA2 vs BSS138LT1G

Это подробное сравнение BSS138NH6327XTSA2 и BSS138LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BSS138NH6327XTSA2

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 4345 ПКС
Package: PG-SOT23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

BSS138LT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2952 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BSS138NH6327XTSA2	BSS138LT1G
Series	SIPMOS®	-
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	50 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	230mA (Ta)	200mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	3.5Ohm @ 230mA, 10V	3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.4V @ 26µA	1.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	1.4 nC @ 10 V	-
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	41 pF @ 25 V	50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	360mW (Ta)	225mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ