BSS138W vs BSS138LT1G

Это подробное сравнение BSS138W и BSS138LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BSS138W

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
7054 ПКС
Package
SOT-323
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
Part B

BSS138LT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
2952 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BSS138W BSS138LT1G
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V 50 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 210mA (Ta) 200mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.5Ohm @ 220mA, 10V 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.1 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 38 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 340mW (Ta) 225mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount