BSS84LT1G vs BSS84

Это подробное сравнение BSS84LT1G и BSS84 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BSS84LT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
6051 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

BSS84

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) ЛИМИТЕД

Lifecycle
Active
Stock
3000 ПКС
Package
SOT-23
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BSS84LT1G BSS84
Part Status Active Active
FET Type P-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 130mA (Ta) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V -
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 30 pF @ 5 V -
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Compare RFQ