BSS84 vs BSS84LT1G

Это подробное сравнение BSS84LT1G и BSS84 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
BSS84LT1G

+БОМ

6051 ПКС | Онсеми
BSS84

+БОМ

3000 ПКС | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) ЛИМИТЕД
Пакет SOT23-3 SOT23 (Standard)
Описание MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 50 V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 130mA (Ta) -
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V -
RdsOn(Max)@IdVgs 10Ohm @ 100mA, 5V -
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA -
Vgs(Max) ±20V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 30 pF @ 5 V -
PowerDissipation(Max) 225mW (Ta) -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Модель сравнения : BSS84LT1G BSS84

+БОМ RFQ