C3M0075120K vs C3M0016120K

Это подробное сравнение C3M0075120K и C3M0016120K предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

C3M0075120K

Компания Wolfspeed, Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 2764 ПКС
Package: TO-247-4
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

C3M0016120K

Компания Wolfspeed, Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 4447 ПКС
Package: TO-247-4
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	C3M0075120K	C3M0016120K
Series	C3M™	C3M™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V	1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	30A (Tc)	115A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	15V	15V
Rds On(Max) @ Id Vgs	90mOhm @ 20A, 15V	22.3mOhm @ 75A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 5mA	3.6V @ 23mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	51 nC @ 15 V	211 nC @ 15 V
Vgs(Max)	+19V, -8V	+15V, -4V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1350 pF @ 1000 V	6085 pF @ 1000 V
Power Dissipation (Max)	113.6W (Tc)	556W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ