CSD16409Q3 vs CSD16321Q5 Сравнение
Это подробное сравнение CSD16321Q5 и CSD16409Q3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TDFN-8
TDFN-8
Описание
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
31A (Ta), 100A (Tc)
15A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
3V, 8V
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1.4V @ 250µA
2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
+10V, -8V
+16V, -12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
3100 pF @ 12.5 V
800 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta)
2.6W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
