CSD16570Q5B vs CSD16321Q5

Это подробное сравнение CSD16570Q5B и CSD16321Q5 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD16570Q5B

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
2929 ПКС
Package
TDFN-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

CSD16321Q5

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
7266 ПКС
Package
TDFN-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD16570Q5B CSD16321Q5
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V 25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 100A (Ta) 31A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs 0.59mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.9V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 19 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V +10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 14000 pF @ 12 V 3100 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 195W (Tc) 3.1W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ