CSD17308Q3 vs CSD17501Q5A

Это подробное сравнение CSD17308Q3 и CSD17501Q5A предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17308Q3

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
5348 ПКС
Package
TDFN-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

CSD17501Q5A

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
6416 ПКС
Package
TDFN-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD17308Q3 CSD17501Q5A
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 14A (Ta), 44A (Tc) 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 3V, 8V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 10.3mOhm @ 10A, 8V 2.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 5.1 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) +10V, -8V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 700 pF @ 15 V 2630 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta) 3.2W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ