CSD17576Q5B vs CSD17573Q5B

Это подробное сравнение CSD17576Q5B и CSD17573Q5B предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17576Q5B

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
2263 ПКС
Package
TDFN-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

CSD17573Q5B

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
2605 ПКС
Package
TDFN-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD17576Q5B CSD17573Q5B
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 100A (Ta) 100A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2mOhm @ 25A, 10V 1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 64 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4430 pF @ 15 V 9000 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ