CSD18563Q5A vs CSD18531Q5A

Это подробное сравнение CSD18563Q5A и CSD18531Q5A предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD18563Q5A

Техасские инструменты

Lifecycle: Active
Stock: 1774 ПКС
Package: TDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

CSD18531Q5A

Техасские инструменты

Lifecycle: Active
Stock: 6214 ПКС
Package: TDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	CSD18563Q5A	CSD18531Q5A
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	100A (Ta)	19A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	6.8mOhm @ 18A, 10V	4.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.4V @ 250µA	2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V	43 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1500 pF @ 30 V	3840 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 116W (Tc)	3.1W (Ta), 156W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ