CSD18533Q5A vs CSD18511Q5A Сравнение
Это подробное сравнение CSD18511Q5A и CSD18533Q5A предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TDFN-8
Описание
MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
Base Product Number
CSD18511
-
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
159A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 24A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5850 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)
3.2W (Ta), 116W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
17A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
5.9mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
36 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
2750 pF @ 30 V
