CSD18510Q5B vs CSD18537NQ5A

Это подробное сравнение CSD18510Q5B и CSD18537NQ5A предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD18510Q5B

Техасские инструменты

Lifecycle: Active
Stock: 4657 ПКС
Package: TDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

CSD18537NQ5A

Техасские инструменты

Lifecycle: Active
Stock: 2636 ПКС
Package: TDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	CSD18510Q5B	CSD18537NQ5A
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	300A (Tc)	50A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	0.96mOhm @ 32A, 10V	13mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.3V @ 250µA	3.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	153 nC @ 10 V	18 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	11400 pF @ 20 V	1480 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)	3.2W (Ta), 75W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ