DG211BDY-T1-E3 vs DG211CY Сравнение

Это подробное сравнение DG211BDY-T1-E3 и DG211CY предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
DG211BDY-T1-E3

+БОМ

2205 ПКС | Vishay Силиконикс
DG211CY

+БОМ

4893 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
Пакет SOIC-16 SOIC-16
Описание IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
Supplier - Renesas Electronics America Inc
Part Status Active Obsolete
Switch Circuit SPST - NC SPST - NC
Multiplexer / Demultiplexer Circuit 1:1 1:1
Number of Circuits 4 4
On - State Resistance(Max) 85Ohm 175Ohm
Voltage - Supply, Dual (V±) ±4.5V ~ 22V ±15V
Switch Time(Ton Toff)(Max) 300ns, 200ns 460ns, 450ns
Channel Capacitance(CS(off)CD(off)) 5pF, 5pF 5pF, 5pF
Current - Leakage(IS(off))(Max) 500pA 5nA
Crosstalk -95dB @ 100kHz -90dB @ 100kHz
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Channel - to - Channel Matching(ΔRon) 2Ohm -
Voltage - Supply, Single (V+) 4.5V ~ 25V -
Charge Injection 1pC -
Модель сравнения : DG211BDY-T1-E3 DG211CY

+БОМ RFQ