DG411DY-T1-E3 vs DG411HSDY Сравнение

Это подробное сравнение DG411DY-T1-E3 и DG411HSDY предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
DG411DY-T1-E3

+БОМ

6176 ПКС | Vishay Силиконикс
DG411HSDY

+БОМ

5209 ПКС | Vishay Силиконикс
Пакет SOIC-16 SOIC-16
Описание IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC IC SWITCH QUAD SPST 16-SOIC
Supplier - Vishay Siliconix
Part Status Active Obsolete
Switch Circuit SPST - NC SPST - NC
Multiplexer / Demultiplexer Circuit 1:1 1:1
Number of Circuits 4 4
On - State Resistance(Max) 35Ohm 35Ohm
Voltage - Supply, Single (V+) 5V ~ 44V 12V
Voltage - Supply, Dual (V±) ±5V ~ 20V ±5V ~ 20V
Switch Time(Ton Toff)(Max) 175ns, 145ns 105ns, 80ns
Charge Injection 5pC 22pC
Channel Capacitance(CS(off)CD(off)) 9pF, 9pF 12pF, 12pF
Current - Leakage(IS(off))(Max) 250pA 250pA
Crosstalk -85dB @ 1MHz -88dB @ 1MHz
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : DG411DY-T1-E3 DG411HSDY

+БОМ RFQ