DG412DQ-T1-E3 vs DG412CJ Сравнение

Это подробное сравнение DG412DQ-T1-E3 и DG412CJ предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
DG412DQ-T1-E3

+БОМ

3913 ПКС | Vishay Силиконикс
DG412CJ

+БОМ

5851 ПКС | Компания Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Пакет TSSOP-16 DIP-16
Описание IC SWITCH QUAD SPST TSSOP16 IC SWITCH ANLG SPST QUAD 16DIP
Supplier Vishay Siliconix Rochester Electronics, LLC,Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Part Status Active Obsolete
Switch Circuit SPST - NO SPST - NO
Multiplexer / Demultiplexer Circuit 1:1 1:1
Number of Circuits 4 4
On - State Resistance(Max) 35Ohm 45Ohm
Voltage - Supply, Dual (V±) ±15V ±4.5V ~ 20V
Switch Time(Ton Toff)(Max) 175ns, 145ns 175ns, 145ns
Charge Injection 5pC 5pC
Channel Capacitance(CS(off)CD(off)) 9pF, 9pF 9pF, 9pF
Current - Leakage(IS(off))(Max) 250pA 250pA
Crosstalk -85dB @ 1MHz -85dB @ 1MHz
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Through Hole
Channel - to - Channel Matching(ΔRon) - 3Ohm (Max)
Voltage - Supply, Single (V+) - 10V ~ 30V
Модель сравнения : DG412DQ-T1-E3 DG412CJ

+БОМ RFQ