DG419DY+ vs DG419LDY-T1-E3 Сравнение

Это подробное сравнение DG419DY+ и DG419LDY-T1-E3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
DG419DY+

+БОМ

1968 ПКС | Vishay Силиконикс
DG419LDY-T1-E3

+БОМ

6387 ПКС | Vishay Силиконикс
Пакет SOIC-8
Описание IC SWITCH SPDT X 1 35OHM 8SOIC IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC
Supplier - Vishay Siliconix
Part Status Obsolete Obsolete
Switch Circuit SPDT SPDT
Multiplexer / Demultiplexer Circuit 2:1 2:1
Number of Circuits 1 1
On - State Resistance(Max) - 20Ohm
Voltage - Supply, Single (V+) 12V 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±) ±15V ±3V ~ 6V
Switch Time(Ton Toff)(Max) - 43ns, 31ns
Charge Injection 60pC 1pC
Channel Capacitance(CS(off)CD(off)) - 5pF
Current - Leakage(IS(off))(Max) - 1nA
Crosstalk - -71dB @ 1MHz
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number DG419 -
On - State Resistance (Max) 35Ohm -
Switch Time (Ton, Toff) (Max) 175ns, 145ns -
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)) 8pF, 8pF -
Current - Leakage (IS(off)) (Max) 250pA -
Packaging Tube -
Модель сравнения : DG419DY+ DG419LDY-T1-E3

+БОМ RFQ