DMG1029SV-7 vs DMG1013T-7

Это подробное сравнение DMG1029SV-7 и DMG1013T-7 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DMG1029SV-7

Включенные диоды

Lifecycle: Active
Stock: 4091 ПКС
Package: SOT-563-6
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

DMG1013T-7

Включенные диоды

Lifecycle: Active
Stock: 3936 ПКС
Package: SOT-523
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	DMG1029SV-7	DMG1013T-7
Part Status	Active	Active
FET Type	N and P-Channel	P-Channel
Technology	-	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	500mA, 360mA	460mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	1.8V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	1.7Ohm @ 500mA, 10V	700mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.3nC @ 4.5V	0.622 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	-	±6V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	30pF @ 25V	59.76 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max)	-	270mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
FET Feature	Logic Level Gate	-
Power - Max	450mW	-

Compare RFQ