DTA114YET1G vs DTA114TET1

Это подробное сравнение DTA114YET1G и DTA114TET1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DTA114YET1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
28687 ПКС
Package
SOT-416
Series
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
+БОМ RFQ
Part B

DTA114TET1

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
9427 ПКС
Package
SOT-416
Series
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification DTA114YET1G DTA114TET1
Supplier onsemi onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50 V
Resistor - Base(R1) 10 kOhms 10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 47 kOhms -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 80 @ 5mA, 10V 160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 200 mW 200 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ