DTC114YET1G vs DTC114EEBMGTL

Это подробное сравнение DTC114YET1G и DTC114EEBMGTL предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

DTC114YET1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
3161 ПКС
Package
SOT-416
Series
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
+БОМ RFQ
Part B

DTC114EEBMGTL

компанией Rohm Semiconductor

Lifecycle
Active
Stock
8810 ПКС
Package
SOT-490
Series
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification DTC114YET1G DTC114EEBMGTL
Supplier onsemi Rohm Semiconductor
Part Status Active Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50 V
Resistor - Base(R1) 10 kOhms 10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 47 kOhms 10 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 80 @ 5mA, 10V 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 200 mW 150 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series - DTC114E
Frequency - Transition - 250 MHz
Compare RFQ