ECH8668-TL-H vs ECH8601M-TL-H

Это подробное сравнение ECH8668-TL-H и ECH8601M-TL-H предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

ECH8668-TL-H

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 3 ПКС
Package: 8-SMD, Flat Lead
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

ECH8601M-TL-H

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 7193 ПКС
Package: 8-SMD, Flat Lead
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	ECH8668-TL-H	ECH8601M-TL-H
Supplier	onsemi	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Obsolete	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	24V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	7.5A, 5A	8A (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs	17mOhm @ 4A, 4.5V	23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	1.3V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	10.8nC @ 4.5V	7.5nC @ 4.5V
Operating Temperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1060pF @ 10V	-
Power - Max	1.5W	-

Compare RFQ