FDC6301N vs FDC6310P

Это подробное сравнение FDC6301N и FDC6310P предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDC6301N

+БОМ

4234 ПКС | Онсеми
FDC6310P

+БОМ

5151 ПКС | Компания Fairchild Semiconductor
Пакет SSOT-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Описание MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Series - PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 220mA 2.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 0.7nC @ 4.5V 5.2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 9.5pF @ 10V 337pF @ 10V
Power-Max 700mW 700mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : FDC6301N FDC6310P

+БОМ RFQ