FDC6327C vs FDC638P
Это подробное сравнение FDC638P и FDC6327C предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Пакет
SSOT-6
Описание
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
-
Base Product Number
FDC638
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
±8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
1.6W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N and P-Channel
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2.7A, 1.9A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
4.5nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
325pF @ 10V
Power-Max
-
700mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
