FDD8896 vs FDD8880

Это подробное сравнение FDD8896 и FDD8880 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDD8896

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4510 ПКС
Package: TO-252-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

FDD8880

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 6387 ПКС
Package: TO-252-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDD8896	FDD8880
Series	PowerTrench®	PowerTrench®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	17A (Ta), 94A (Tc)	13A (Ta), 58A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	5.7mOhm @ 35A, 10V	9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V	31 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	2525 pF @ 15 V	1260 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	80W (Tc)	55W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ