FDD8880 vs FDD8896 Сравнение

Это подробное сравнение FDD8896 и FDD8880 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDD8896

+БОМ

4510 ПКС | Онсеми
FDD8880

+БОМ

6387 ПКС | Онсеми
Пакет TO-252-3 TO-252-3
Описание MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 17A (Ta), 94A (Tc) 13A (Ta), 58A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V 9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V 1260 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 80W (Tc) 55W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : FDD8896 FDD8880

+БОМ RFQ