FDG6303N vs FDG6335N

Это подробное сравнение FDG6303N и FDG6335N предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6303N

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
6717 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOSFET массивы
+БОМ RFQ
Part B

FDG6335N

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
1350 ПКС
Package
SC-70
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDG6303N FDG6335N
Part Status Obsolete Active
Base Product Number FDG6303 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V -
Power - Max 300mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Compare RFQ